陆海

信息电子学系 博导

个人简历

于1996年和1999年在云顶娱乐官网物理系获学士、硕士学位;于2003年在美国康奈尔大学(Cornell University)电子与计算机工程系获博士学位,师从美国工程院院士Lester Eastman教授;在康奈尔大学获得博士学位后,于2004年,受聘于美国通用电气企业(GE)研发中心任高级研究员;于2006年9月归国任教于云顶娱乐官网物理系及云顶娱乐。
    主要从事宽禁带半导体材料和器件研究,获得多项有影响力的成果:制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜(保持6年世界纪录);首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料;为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品,联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数,包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现;首先发现InN表面强电荷聚集效应;成功研制出InN化学传感器、InN THz发射源、GaN基高温霍尔传感器、InGaN多异质结太阳能电池、同质外延GaN雪崩光电探测器、SiC紫外单光子探测器等新型器件;并带领云顶娱乐官网团队在国内首先实现了高灵敏度GaN紫外探测器件的产业化。
    已发表学术论文250余篇,其中包括SCI论文200余篇;所发表文章获SCI他人引用6500余篇次(截止到2014年3月);论文被引用的H因子(H-index)为39。其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”;多项工作被《Nature》杂志及国际半导体技术主流媒体跟踪报道;并应邀成为十余家国际著名学术期刊以及国际权威器件研究会议IEDM特邀审稿人。2007年入选教育部新世纪人才支撑计划;2008年获得国家杰出青年科学基金资助;2012年入选教育部长江学者特聘教授;2013年入选科技部创新人才推进计划(万人计划)。

研究方向

1. GaN基高功率电子器件;2.宽禁带半导体紫外探测器件; 3.新型氧化物透明薄膜晶体管与电路。

主要课程

本科生:微电子工艺

代表成果
  • Dong Zhou, Fei Liu, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, Youdou Zheng, “High-Temperature Single Photon Detection Performance of 4H-SiC Avalanche Photodiodes.” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 26, no. 11, pp. 1136-1138, 2014.

  • Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Dunjun Chen, Rong Zhang, and Youdou Zheng, “Enhanced bias stress stability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors by inserting ultra-thin InGaZnO:N layer at the channel/gate insulator interface.” Appl. Phys. Lett. vol. 102, no. 19, pp. 193505, 2013.

  • G. S. Wang, H. Lu, D. J. Chen, R. Zhang, and Y. D. Zheng, “High quantum efficiency GaN-based p-i-n photodetectors prepared on patterned sapphire substrates,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 25, pp. 652, 2013.

  • Feng Xie, Hai Lu, Dunjun Chen, Xiaoli Ji, Feng Yan, Rong Zhang, Youdou Zheng, Liang Li, and Jianjun Zhou; “Ultra-Low Dark Current AlGaN-Based Solar-Blind Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors for High-Temperature Applications.” IEEE Sensors Journal, vol. 12, no. 6, pp. 2086, 2012.

  • Feng Xie, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, and Youdou Zheng; “Bias-Selective Dual-Operation-Mode Ultraviolet Schottky-Barrier Photodetectors Fabricated on High-Resistivity Homoepitaxial GaN” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 24, no. 24, pp. 2203, 2012.

  • Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Qingyu Xu, Rong Zhang, and Youdou Zheng “Electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors under monochromatic light illumination.” Appl. Phys. Lett., vol. 100, no. 24, pp. 243505, 2012.

  • F. Xie, Hai Lu, D. J. Chen, X. Q. Xiu, XQ, H. Zhao, R. Zhang, Y. D. Zheng; “Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Avalanche Photodiodes Fabricated on Bulk GaN Substrate.” IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2011), 32 (9), 1260-1262.

  • L. H. Fu, Hai Lu, D. J. Chen, R. Zhang, Y. D. Zheng, T. S. Chen, K. Wei, X. Y. Liu; “Field-dependent carrier trapping induced kink effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors.” APPLIED PHYSICS LETTERS (2011), 98 (17), 173508.

  • D. W. Yan, Hai Lu, D. S. Cao, D. J. Chen, R. Zhang, Y. D. Zheng; “On the reverse gate leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors. ” APPLIED PHYSICS LETTERS (2010) 97 (15), 153503.

  • D. W. Yan, Hai Lu, D. J. Chen, R. Zhang, Y. D. Zheng; “Forward tunneling current in GaN-based blue light-emitting diodes.” APPLIED PHYSICS LETTERS (2010), 96(8), 083504.


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