刘斌

博导

个人简历

刘斌,教授,博导,本科毕业于中山大学理工学院,获物理学与计算机科学双学位;2008年毕业于云顶娱乐官网物理系微电子与固体电子学专业,获博士学位,其博士论文获得全国优秀博士论文提名奖。在江苏省光电信息功能材料重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心展开III族氮化物异质结构和光电子器件研究。2010年获得霍英东教育基金会青年基金资助,2012年获得教育部新世纪优秀人才计划支撑,2014年获得国家自然科学基金委优秀青年基金,2016年获教育部青年长江学者。并作为学术团队成员获得教育部高校自然科学和技术发明一等奖共2项。曾先后在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家研究中心、瑞典皇家工学院(KTH)、香港中文大学访问研究。主持或完成国家重点研发计划--战略性先进电子材料重点专项,自然科学基金项目3项、省部级项目5项,参加国家重大研究“973”、“863”计划项目多项。截止目前,已在Advanced Functional Materials, Nano Letters, Applied Physics Letters,IEEE Electron Device Letters & Photonics Technology Letters等重要学术期刊上发表学术论文150余篇,其中第一/通讯编辑40余篇,申请/授权中国或美国发明专利40余项。

研究方向

1.宽带隙半导体材料及异质结构;2.III族氮化物半导体光电子器件;3.半导体固态照明技术

主要课程

本科生:半导体物理学;微电子与光电子前沿讲座
 研究生:半导体量子器件物理;光电子材料与器件

代表成果
  • 1.Zhe Zhuang , Xu Guo , Bin Liu* , Fengrui Hu , Yi Li , Tao Tao , Jiangping Dai , Ting Zhi ,Zili Xie , Peng Chen , Dunjun Chen , Haixiong Ge , Xiaoyong Wang , Min Xiao , Yi Shi , Youdou Zheng , and Rong Zhang *High Color Rendering Index Hybrid III-Nitride/Nanocrystals White Light-Emitting Diodes (封面文章) ,Advanced Functional Materials, 26(1), 36–43(2016).
     

  • 2. Ting Zhi, Tao Tao, Bin Liu*, Zhe Zhuang, Jiangping Dai, Yi Li, Guogang Zhang, Zili Xie, Peng Chen, Rong Zhang, Polarized Emission from InGaN/GaN Single Nanorod Light-emitting Diode,IEEE Photonic Tech. Lett. 28(7),721-724(2016).

  • 3. Zhe Zhuang, Xu Guo, Bin Liu*, Fengrui Hu, Jiangping Dai,Yun Zhang, Yi Li, Tao Tao, Ting Zhi, Zili Xie, Haixiong Ge, Xiaoyong Wang, Min Xiao, Tao Wang, Yi Shi,Youdou Zheng and Rong Zhang*, Great enhancement in the excitonic recombination and light extraction of highly ordered InGaN/GaN elliptic nanorod arrays on a wafer scale(封面文章),  Nanotechnology 27: 015301 (2015).

  • 4. Z.Zhuang,X. Guo,G. G. Zhang, B. Liu*, R. Zhang, T. Zhi, T. Tao, H. X. Ge, F. F. Ren, Z. L. Xie; Y. D. Zheng. Large-scale fabrication and luminescence properties of GaN nanostructures by a soft UV-curing nanoimprint lithography(封面文章). Nanotechnology 24(40), 405303 (2013).

  • 5. B. Liu, R. Smith, J. Bai, Y. P. Kong, T. Wang, Great emission enhancement and excitonic recombination dynamics of InGaN/GaN nanorod structures, Appl. Phys. Lett. 103, 101108 (2013).

  • 6. R. Smith, B. Liu, J. Bai, T. Wang, Hybrid III-nitride/organic semiconductor nanostructure with high efficiency nonradiative energy transfer for white light emitters, Nano Lett. 13 (7), 3042–3047(2013).

  • 7. B.Liu*, R.Zhang, J.G.Zheng, X. L. Ji, D. Y. Fu, Z. L. Xie, D. J. Chen, P. Chen, R. L. Jiang, Y. D. Zheng, Composition pulling effect and strain relief mechanism in AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors, Appl. Phys. Lett. 98(26),261916 (2011).

  • 8. B. Liu, J. Y. Kong, R. Zhang, Z. L. Xie, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, H. Lu, P. Han, Y. D. Zheng, and S. M. Zhou, Polarization and temperature dependence of photoluminescence of m-plane GaN grown on LiAlO2 (100) substrate, Appl. Phys. Lett. 95, 061905 (2009).

  • 9. B. Liu, R. Zhang, Z. L. Xie, J. Y. Kong, C. X. Liu, J. Yao, Q. J. Liu, Z. Zhang, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, P. Han, Y. Shi, Y. D. Zheng,S. M. Zhou, G.. Edwards, Anisotropic crystallographic properties, strain and their effects on band structure of m-plane GaN on LiAlO2(100). Applied Physics Letters 92,261906 (2008).

  • 10. B. Liu, R. Zhang, C. X. Liu, Z. L. Xie, J. Y. Kong, X. Q. Xiu, L. Li, H. Lu, P. Han, S.L. Gu, Y. Shi, Y. D. Zheng, J. Zhou and S. M. Zhou, Non-polar m-plane GaN thin film and InGaN/GaN light-emitting diodes on LiAlO2 (100) substrates, Applied Physics Letters 91, 253506 (2007).


联系方式
电话::025-83685356
邮件::bliu@nju.edu.cn
信箱: :仙林校区潘忠来楼072信箱
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