康琳

电子工程系 硕导

个人简历

1978.10-1982.8   西安电子科技大学半导体器件与物理专业
1982.8-1991.11   中国华晶集团企业(无锡),从事IC设计
1991-至今        云顶娱乐官网超导电子学实验室

长期从事薄膜及其器件的研究工作。主持和参加“863”、“973”、自然基金重大等国家级项目多项。发表论文百余篇,拥有多项薄膜生长及高频器件的发明专利,作为主要完成者,获江苏省科学技术一等奖、电子部科技进步二等、三等奖各一项。从2000年起致力于超导NbN器件的制备和性能研究工作,制备的超薄NbN薄膜性能与国际领先水平相当。在NbN器件的研究上有多篇SCI论文和专利发表。2000年--至今,作为访问学者,多次在香港大学进行学术访问和合作研究。

研究方向

超导电子学;微加工技术

主要课程

电路分析基础;
薄膜与器件制备技术

代表成果
  • L. Kang, B. B. Jin, X. Q. Jia, X. Y. Liu, J. Chen, Z. M. Ji, W. W. Xu, P. H. Wu, S. B. Mi, A. Pimenov, Y. J. Wu, and B. G. Wang,“ Suppression of superconductivity in epitaxial NbN ultrathin film” J. Appl. Phys. Vol 109, 0339081-5 2011

  • L.B. Zhang, Q.Y. Zhao, Y. Y. Zhong, J. Chen, L. Kang*, P. H. Wu, “Single photon detectors based on superconducting nanowires over large active areas”,  Applied Physics B: Lasers and Optics,Vol 98,187,2009

  • L.Kang*, J.Gao, H.R.Xu, S.Q.Zhao, P.H.Wu, H.Chen; Epitaxial MgO thin film with a lattice constant of 8.12? grown on Si substrate;J. Crystal Growth, 279  100-104(2006)

  • 发明专利(专利号:ZL031322085) “氮化铝单晶薄膜及其制备方法”,康琳,吴培亨, 蔡卫星,施建荣,陈亚军,(转让)

  • 发明专利 (专利号:ZL 200910181576.1) “超导单光子探测器及封装方法”,康琳,张蜡宝,陈健,吴培亨,


联系方式
电话::83592933
邮件::kanglin@nju.edu.cn
信箱: :
办公地址::

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