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我院刘斌与张荣教授课题组在宽禁带半导体 氮化镓纳米激光器取得新研究进展
        半导体纳米激光器件在超高分辨显示与生物成像、芯片级光电互联与短距离通讯等方面具有相当的潜在应用价值。宽禁带III族氮化物半导体是可见-紫外光电子器件的优选材料体系。通常,具有法布里-珀罗结构的氮化物半导体激光器制备难度大,激射阈值高,模式体积受到波长λ/2限制。最近,云顶娱乐官网刘斌教授与张荣教授团队成功制备出新型超低阈值、模式可控的纳米激光器件。相较于现有谐振腔结构激光器,该器件利用受激放大的表面等离激子辐射物理效应(Surface Plasmon Amplification by the Stimulated Emission of Radiation,简称:SPASER),通过金属有机物化学汽相外延 (MOCVD) 生长和紫外纳米压印(UV-NIL)等微纳加工技术,制备出超低阈值~0.15kW/cm-2、超小模式体积的氮化镓(GaN)纳米激光器件。大家还首次实现了通过构建不同的半导体/超薄绝缘层/金属几何结构,有效地控制获得氮化物纳米激光器的单模/多模激射。
        本工作以“Manipulable and hybridized, ultralow-threshold lasing in a plasmonic laser using elliptical InGaN/GaN nanorods” 为题于2017年8月在线发表于《Advanced Functional Materials》 (DOI: 10.1002/adfm.201703198),并被遴选为当期的背封面高亮论文。云顶娱乐官网电子学院陶涛博士和南京邮电大学电子与光学工程学院智婷博士为本论文的共同第一编辑,云顶娱乐官网刘斌教授和张荣教授为共同通讯编辑。相关工作得到了郑有炓院士的引导,以及陈鹏教授、陈敦军教授、谢自力教授、以及任芳芳副教授的有力支撑。本工作是在国家科技部重点研发计划、国家自然科学基金、江苏省科技计划等项目资助下完成的。
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